تكنولوجيا معالجة أشباه الموصلات فوسفيد الإنديوم (InP).
جدول المحتويات
مقدمة
متطلبات التطبيق
مواصفات النظام
تدفق المعالجة
حالة العملاء
متطلبات التطبيق
يجب أن تحقق معالجة رقائق InP الأهداف التالية:
خشونة السطح: بعد التلميع-Ra أقل من أو يساوي 1 نانومتر
إجمالي تباين السماكة (TTV): الرقاقة النهائية TTV أقل من أو تساوي 2 ميكرومتر
التحكم في السُمك: السُمك المستهدف 150 ميكرومتر (يخضع لمتطلبات العملاء)
تسطيح الحواف: يتم تعويض تشوه الحواف أثناء مرحلة التلميع باستخدام لوح طحن محدب.
مواصفات النظام
يوفر نظام الطحن والتلميع الدقيق من HSM حلاً كاملاً للعملية-.
تدفق المعالجة
تحضير الطحن
استخدم مقياس اختبار التسطيح لمعايرة تحدب لوح طحن الزجاج (يستخدم للتعويض عن تأثيرات حافة التلميع).
تحميل رقاقة InP على لاعبا أساسيا مخصصا (ASJ). قم بإجراء الطحن على مرحلتين-باستخدام ملاط الألومينا:
المرحلة 1:إزالة تلف القطع وتقليل الخشونة إلى 250-350 نانومتر.
المرحلة الثانية : تحسين التسطيح، وتحقيق خشونة 200-350 نانومتر وTTV أقل من أو يساوي 3 ميكرومتر.
تحضير التلميع
استبدل لوح اللف بلوحة تلميع وقم بتبديل المادة الكاشطة إلى ملاط التلميع المتخصص من شركة HSM.
التحكم في المعلمات الرئيسية عبر الواجهة الرسومية:
سرعة أسطوانة التلميع: أقل من أو تساوي 100 دورة في الدقيقة
معدل تدفق الملاط: يتم مراقبته بواسطة نظام التحكم في التغذية بالتنقيط في الوقت الحقيقي-(يقلل من الهدر)
حمل الضغط: يتم تعديله ديناميكيًا بناءً على متطلبات السُمك.
الهدف : إزالة تلف السطح الفرعي - والحصول على سطح أملس ذريًا (Ra أقل من أو يساوي 1 نانومتر).
نتائج
حققت رقائق InP مقاس 2-بوصة التي تمت معالجتها بواسطة نظام HSM-LP الأداء التالي:
حالة العملاء
استخدم أحد العملاء نظام HSM-LP لمعالجة شرائح InP مقاس 2 بوصة (50 مم). العملية والنتائج هي كما يلي:
مرحلتان-للطحن:
يتم معايرة تحدب الصفيحة اللف إلى الانحناء المستهدف (لمقاومة تزييف الحافة).
تمت إزالة المادة تدريجيًا باستخدام ملاط الألومينا، واستقر TTV عند 3 ميكرومتر.
تلميع :
تم ضبط معدل تدفق ملاط التلميع على 50 مل/دقيقة، وسرعة الصوانى عند 80 دورة في الدقيقة.
تم تقليل خشونة السطح من 350 نانومتر إلى 1 نانومتر (تم التحقق منها بواسطة مقياس Dektak).
المقاييس النهائية:
السُمك: 150 ± 0.5 ميكرومتر
التسطيح: TTV أقل من أو يساوي 1 ميكرومتر
سلامة الحافة: لا التقطيع.
التحقق الفني
رسم تخطيطي: الشكل السطحي لرقاقة InP بعد المعالجة بواسطة نظام HSM-LP.
ملاحظات:
معدات القياس: مقياس تداخل الضوء الأبيض Bruker ContourGT
كامل-عائد العملية: أكبر من أو يساوي 98% (حجم الدفعة 80 رقاقة)
