كربيد السيليكون (SiC).
كربيد السيليكون (SiC) عبارة عن مادة شبه موصلة ذات فجوة نطاق عريض-من الجيل الثالث-تتميز بمجالها الكهربائي عالي الانهيار، والموصلية الحرارية العالية، وسرعة انجراف التشبع الإلكتروني العالية، والثبات الكيميائي والحراري الممتاز. يتم استخدامه على نطاق واسع في إلكترونيات الطاقة وأجهزة الترددات اللاسلكية والمركبات الكهربائية واتصالات 5G وإمدادات الطاقة الصناعية والفضاء وغيرها من المجالات. إن طبيعتها الصلبة والهشة تجعل من التصنيع الدقيق خطوة حاسمة في تصنيع الأجهزة-عالية الأداء.
تمتلك شركة Hemei خبرة فنية عميقة في المعالجة الدقيقة للمواد الصلبة والهشة. لقد قمنا بتطوير عملية تلميع واستواء فعالة ومستقرة خصيصًا لمواد SiC. تتيح هذه العملية إمكانية التحكم الكامل في الآلات بدءًا من إعداد الركيزة وحتى تشطيب السطح على مستوى الجهاز-، مما يلبي متطلبات جودة السطح الصارمة لـ SiC في -التطبيقات المتطورة مثل وحدات الطاقة وأجهزة الترددات اللاسلكية بالموجات الدقيقة.
متطلبات التطبيق
تشمل أهداف التلميع والمعالجة السطحية لمواد SiC ما يلي:
تقليل خشونة السطح (Ra) إلى <0.5 نانومتر.
تحقيق تسطيح السطح (TTV) أقل من أو يساوي 1 ميكرومتر، مع تفوق التسطيح المحلي (LTV) على هذه القيمة.
إنتاج أسطح خالية من الخدوش والشقوق-الدقيقة وأضرار السطح الفرعي- لتلبية متطلبات الأداء الكهربائي على مستوى الجهاز-.
التوافق مع الأنواع المتعددة مثل 4H-SiC و6H-SiC، مما يدعم معالجة الرقاقات بأقطار تتراوح من 4 بوصة إلى 8 بوصة.
ولتحقيق هذه الأهداف، تستخدم عملية Hemei أنظمة ربط مخصصة وإجراءات تلميع متعددة-الخطوات، مما يضمن الدقة الهندسية وسلامة السطح أثناء المعالجة.
مواصفات النظام
تدعم أنظمة التلميع المعيارية من Hemei معالجة رقائق/بلورات SiC ذات الأحجام والأشكال المختلفة. تشمل الأنظمة الأساسية ما يلي:
معدات التصفيح من سلسلة HSM-L/LP: تستخدم لإزالة المواد الأولية والتحكم في سمكها.
أنظمة التلميع الميكانيكية الكيميائية من سلسلة HSM-CMP: تستخدم للحصول على أسطح فائقة النعومة-خالية من التلف-.
الأنظمة الفرعية الرئيسية:
وحدة ربط خاصة بالرقاقة/الكريستال-(WB).
تركيبات التلميع الدقيقة من سلسلة SJ/ASJ.
C-ASJ Drive Head High-نظام تلميع سريع.
تدفق العملية
الربط والتركيب: يتم ربط عينة SiC مؤقتًا بلوحة حاملة باستخدام وحدة الربط WB ثم يتم تركيبها على أداة التلميع.
التلميع الخشن والمتوسط: يتم إجراء الطحن المتحكم فيه على معدات HSM-L لإزالة الطبقة-المتأثرة بالعملية.
التلميع الدقيق: يتم إجراء التلميع النهائي باستخدام نظام HSM-CMP. يتم ضبط المعلمات مثل الضغط وسرعة الدوران ومعدل تدفق الملاط في الوقت الحقيقي- لتحقيق نعومة السطح على مستوى النانو-.
النتائج النموذجية
خشونة السطح Ra <0.5 نانومتر.
إجمالي تباين السماكة (TTV) أقل من أو يساوي 1 ميكرومتر، تباين السماكة المحلي (LTV) أقل من أو يساوي 0.3 ميكرومتر.
معدل إزالة المواد: 0.5 - 2 ميكرومتر/دقيقة (قابل للتعديل).
مناسبة لرقائق SiC ذات أقطار أقل من أو تساوي 8 بوصات، وتدعم الأنواع المتعددة الشائعة مثل 4H/6H-SiC.
ملخص
توفر شركة Hemei حلاً كاملاً وموثوقًا للتلميع والتخطيط لمواد كربيد السيليكون. يوفر هذا الحل باستمرار جودة سطح على مستوى النانو- وأداءً كهربائيًا عاليًا، وبالتالي يدعم التصنيع وتحسين أداء الجهاز لـ SiC في -المجالات المتطورة مثل إلكترونيات الطاقة، واتصالات التردد اللاسلكي، ومركبات الطاقة الجديدة.
